Цена:

Бренд:

Еще:

• Главная
• ← Память RAM
• ← DDR3

Память RAM: DDR3, Грузия

Изображение Описание Samsung DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J ₾29 V7 SO-DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4G ₾29 TeamGroup ELITE DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11-28 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J ₾31 V7 DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J ₾31 V7 DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11 Тип: DDR3L DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x ₾33 Crucial SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11-28 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8G ₾33 SK hynix SO-DIMM 2GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB ₾33 Transcend JetRam DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9-9-9-24 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB ₾33 V7 SO-DIMM 4GB, DDR3-1066, CL7 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1066MT/s (1066 МГц эффективная - основанная на 533 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 133 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB ₾33 Corsair ValueSelect SO-DIMM 4GB, DDR3L-1333, CL9 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модул ₾35 G.Skill NS Series DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9-9-9-24 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB ₾35 Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x ₾35 Silicon Power SO-DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4G ₾35 Transcend JetRam DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB ₾35 Crucial SO-DIMM Kit 8GB, DDR3L-1600, CL11 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: ₾37