Цена:

Бренд:

Еще:

• Главная
• ← Память RAM
• ← Samsung

Память RAM: Samsung, Грузия

Изображение Описание Samsung RDIMM 8GB, DDR4-2133, CL15-15-15, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 2133MT/s (2133 МГц эффективная - основанная на 1066.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 267 МГц (вну ₾119 Samsung RDIMM 8GB, DDR4-3200, CL22-22-22, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули ₾139 Samsung RDIMM 32GB, DDR4-2133, CL15-15-15, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 2133MT/s (2133 МГц эффективная - основанная на 1066.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 267 МГц (внутренняя); моду ₾149 Samsung RDIMM 16GB, DDR4-2133, CL15-15-15, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 2133MT/s (2133 МГц эффективная - основанная на 1066.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 267 МГц (вну ₾149 Samsung RDIMM 16GB, DDR4-3200, CL22-22-22, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули ₾159 Samsung SO-DIMM 32GB, DDR4-3200, CL22-22-22 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули: 1x 32 ₾169 Samsung DIMM 32GB, DDR4-3200, CL22-22-22 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули: 1x 32GB; ₾189 Samsung RDIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, reg ECC Тип: DDR3L RDIMM 240-Pin, reg ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули ₾189 Samsung DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, ECC Тип: DDR3L DIMM 240-Pin, ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x ₾209 Samsung RDIMM 32GB, DDR4-2666, CL19-19-19, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули ₾209 Samsung RDIMM 32GB, DDR4-3200, CL22-22-22, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутр... ₾219 Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: ₾279 Samsung LRDIMM 64GB, DDR4-2666, CL19-19-19, ECC Тип: DDR4 LRDIMM 288-Pin, ECC; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1 ₾299 Samsung RDIMM 64GB, DDR4-3200, CL22-22-22, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули ₾409 Samsung DIMM 32GB, DDR5-4800, CL40, ECC, on-die ECC, bulk Тип: DDR5 DIMM 288-Pin, ECC, коррекция ошибок (on-die ECC); передача данных: 4800MT/s (4800 МГц эффективная - основанная на 2400 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 М ₾419