Ноутбук GE

0% лизинг на 12 месяцев!

Бесплатная доставка по Грузии

Память RAM:
Цена:
Еще:

Корзина

Пусто

Раздел:

Поиск:

Память RAM: DDR3, Грузия

Изображение
Описание
Transcend SO-DIMM 2GB, DDR3-1600, CL11

Transcend SO-DIMM 2GB, DDR3-1600, CL11

Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1

₾47

Transcend DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9-9-9-24

Transcend DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9-9-9-24

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1

₾47

Transcend SO-DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9

Transcend SO-DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9

Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули

₾47

Silicon Power SO-DIMM Kit 8GB, DDR3-1600, CL11

Silicon Power SO-DIMM Kit 8GB, DDR3-1600, CL11

Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 2

₾48

PNY SO-DIMM 2GB, DDR3-1600, CL11

PNY SO-DIMM 2GB, DDR3-1600, CL11

Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1

₾48

Samsung LRDIMM 32GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, ECC

Samsung LRDIMM 32GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, ECC

Тип: DDR3L LRDIMM 240-Pin, ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модул

₾48

goodram DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11

goodram DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8

₾48

goodram SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11

goodram SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11

Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8G

₾48

Kingston ValueRAM DIMM 8GB, DDR3-1333, CL9-9-9

Kingston ValueRAM DIMM 8GB, DDR3-1333, CL9-9-9

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB

₾48

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11

Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11

Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8G

₾48

V7 DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9

V7 DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9

Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB

₾48

V7 DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11

V7 DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11

Тип: DDR3L DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB;

₾48

G.Skill RipJaws SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL9-9-9-28

G.Skill RipJaws SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL9-9-9-28

Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренн

₾48

Transcend DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11

Transcend DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11

Тип: DDR3L DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя...

₾48

Samsung RDIMM 16GB, DDR3-1600, CL11-11-11, reg ECC

Samsung RDIMM 16GB, DDR3-1600, CL11-11-11, reg ECC

Тип: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); моду

₾49

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20