Цена:

Бренд:

Еще:

• Главная
• ← Память RAM
• ← Samsung

Память RAM: Samsung, Грузия

Изображение Описание Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB ₾21 Samsung DIMM 2GB, DDR2-800, CL6 Тип: DDR2 DIMM 240-Pin; передача данных: 800MT/s (800 МГц эффективная - основанная на 400 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB; JED ₾25 Samsung SO-DIMM 512MB, DDR2-667, CL5 Тип: DDR2 SO-DIMM 200-Pin; передача данных: 667MT/s (667 МГц эффективная - основанная на 333.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 51 ₾27 Samsung DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J ₾29 Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x 4G ₾31 Samsung DIMM 512MB, DDR2-667, CL5 Тип: DDR2 DIMM 240-Pin; передача данных: 667MT/s (667 МГц эффективная - основанная на 333.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 512MB ₾31 Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x ₾35 Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: ₾39 Samsung DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB ₾39 Samsung DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3L DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; ₾39 Samsung DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; J ₾42 Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8G ₾48 Samsung LRDIMM 32GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, ECC Тип: DDR3L LRDIMM 240-Pin, ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модул ₾48 Samsung RDIMM 16GB, DDR3-1600, CL11-11-11, reg ECC Тип: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); моду ₾49 Samsung DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x ₾52