Изображение |
Описание |
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3400MB/s | запись: 2700MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 500k/600k | модули памяти: 3D-NAND TLC, 64 Layer | TBW: 400TB | кеш: 512MB (DDR4), … ₾82 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 2100MB/s | запись: 1700MB/s | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 300TB | Protocol: NVMe 1.3 | Power consumption: not specified (maximum), not … ₾82 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 3300MB/s | запись: 1300MB/s SLC-кешd | модули памяти: 3D-NAND | TBW: 140TB | 1.5 млн.. часов | кеш: SLC-кеш | … ₾82 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 2300MB/s; запись: 1500MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 60k … ₾82 |
|
|
|
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 2000MB/s; запись: 1600MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 173k … ₾82 |
|
 |
1TB (фактически 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 3300MB/s; запись: 2700MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: … ₾83 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 3500MB/s; запись: 2100MB/s SLC-Cached; модули памяти: … ₾83 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 3500MB/s; запись: 1625MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 115k … ₾83 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 1700MB/s; запись: 1500MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 160k … ₾83 |
|
|
|
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 3200MB/s; запись: 2000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 250k … ₾83 |
|
 |
240GB (фактически 223.52Гб); SSM; M.2 2280; M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s); чтение: 545MB/s; модули памяти: 2D-NAND TLC, Toshiba/WD, 15nm; … ₾83 |
|
 |
120GB (фактически 111.76Гб); SSM; M.2 2280; M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s); чтение: 545MB/s; модули памяти: 2D-NAND TLC, Toshiba/WD, 15nm; … ₾83 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7000MB/s; запись: 3000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 450k … ₾84 |
|
 |
256GB (фактически 238.42Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 2000MB/s; запись: 1400MB/s SLC-Cached; модули памяти: … ₾84 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 4700MB/s | запись: 1900MB/s SLC-кешd | модули памяти: 3D-NAND QLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | TBW: 110TB | Reliability … ₾85 |
|