Изображение |
Описание |
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 4700MB/s | запись: 1950MB/s SLC-кешd | модули памяти: 3D-NAND | TBW: 200TB | 1.5 млн.. часов | кеш: SLC-кеш | … ₾87 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 3600MB/s; запись: 2300MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 300k … ₾87 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 4000MB/s; запись: 3600MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 450k … ₾87 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s); чтение: 560MB/s; запись: 510MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 90k … ₾87 |
|
|
|
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 1700MB/s; запись: 1100MB/s; IOPS 4K: 290k lesend, 260k … ₾87 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 2000MB/s; запись: 1100MB/s; модули памяти: 3D-NAND TLC; … ₾87 |
|
 |
250GB (фактически 232.83Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 3300MB/s; запись: 1300MB/s SLC-Cached; модули памяти: … ₾87 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 2000MB/s; запись: 1600MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 188k … ₾88 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 2000MB/s; запись: 1600MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 160k … ₾89 |
|
|
|
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x2); чтение: 2100MB/s; запись: 1800MB/s; модули памяти: 3D-NAND TLC; … ₾89 |
|
 |
250GB (фактически 232.83Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 4000MB/s; запись: 2000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 240k … ₾89 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7000MB/s; запись: 3000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 450k … ₾89 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 3500MB/s; запись: 2200MB/s SLC-Cached; модули памяти: … ₾89 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 2400MB/s | запись: 1200MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 240k/250k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Samsung, 96 Layer (V-NAND v5) | TBW: 400TB | … ₾90 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 2200MB/s; запись: 1300MB/s SLC-Cached; модули памяти: … ₾91 |
|