Изображение |
Описание |
 |
1TB (931.32 Гб или 0.91 Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7000MB/s; запись: 6500MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 1000k … ₾119 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 3500MB/s; запись: 2300MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 400k … ₾120 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.1 x4); чтение: 2080MB/s; запись: 1700MB/s SLC-Cached; модули памяти: … ₾120 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3500MB/s | запись: 3200MB/s SLC-кешd (900MB/s TLC) | IOPS 4K чтение/запись: 480k/550k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Samsung, 96 Layer (V-NAND v5) … ₾122 |
|
|
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 7000MB/s | запись: 3000MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 450k/700k | модули памяти: TLC | TBW: 350TB | 1.6 млн.. часов … ₾122 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3300MB/s | запись: 2100MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 210k/310k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 1.1PB | 2 млн.. … ₾122 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 3470MB/s; запись: 2600MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 420k … ₾124 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 3500MB/s; запись: 3200MB/s SLC-Cached (900MB/s TLC); IOPS … ₾124 |
|
 |
256GB (фактически 238.42Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 3500MB/s; запись: 1200MB/s; IOPS 4K: 210k lesend, 230k … ₾124 |
|
|
|
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 3500MB/s; запись: 1900MB/s SLC-Cached; модули памяти: … ₾124 |
|
 |
500GB (фактически 465.66Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 5000MB/s; запись: 3850MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 440k … ₾124 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2230; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 5000MB/s; запись: 4000MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 500k … ₾124 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3200MB/s | запись: 2500MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 300k/400k | модули памяти: 3D-NAND QLC | TBW: 100TB | 1 млн.. … ₾125 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3500MB/s | запись: 3000MB/s SLC-кешd | модули памяти: 3D-NAND QLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2) | TBW: 220TB | Reliability … ₾125 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3500MB/s | запись: 2400MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 200k/256k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 250TB | 1.5 … ₾125 |
|