Изображение |
Описание |
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2242 | M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s) | чтение: 560MB/s | запись: 500MB/s | IOPS 4K чтение/запись: 80k/85k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 280TB | 2 млн.. часов (MTBF) … ₾137 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 4125MB/s | запись: 2950MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 225k/not specified | модули памяти: 3D-NAND QLC, Solidigm, 144 Layer | TBW: 400TB | … ₾137 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 2050MB/s | запись: 1000MB/s | IOPS 4K чтение/запись: 64k/220k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Samsung, 96 Layer (V-NAND v5) | … ₾137 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 4800MB/s; запись: 2700MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 380k … ₾137 |
|
|
|
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7000MB/s; запись: 3000MB/s; IOPS 4K: 200k lesend, 550k … ₾137 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s) | чтение: 520MB/s | запись: 450MB/s | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 480TB | 1.5 млн.. часов (MTBF) | Controller: Silicon Motion … ₾139 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 4700MB/s | запись: 2200MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 320k/520k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Kioxia, 96 Layer (BiCS4) | TBW: 850TB | … ₾139 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4) | чтение: 3500MB/s | запись: 2500MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 220k/330k | модули памяти: 3D-NAND QLC, Intel, 144 Layer | TBW: 370TB | Reliability … ₾139 |
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 5000MB/s | запись: 3300MB/s SLC-кешd | IOPS 4K чтение/запись: 550k/450k | модули памяти: 3D-NAND TLC | TBW: 400TB | Controller: InnoGrit RainierQX … ₾139 |
|
|
|
|
 |
SSM (solid state modules) | M.2 2280 | M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) | чтение: 3400MB/s | запись: 1900MB/s | IOPS 4K чтение/запись: 350k/360k | модули памяти: 3D-NAND TLC, Kioxia, 112 Layer (BiCS5) | 1.5 … ₾139 |
|
 |
1TB (фактически. 931.32Гб или 0.91Тб); SSM (модули твердотельного накопителя); M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 4150MB/s; запись: 4150MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: … ₾139 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 6200MB/s; запись: 2300MB/s SLC-Cached; модули памяти: … ₾139 |
|
 |
1TB (фактически 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4); чтение: 7400MB/s; запись: 6500MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: … ₾139 |
|
 |
1TB (фактически 931.32Гб или 0.91Тб); SSM; M.2 2280; M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s); чтение: 560MB/s; запись: 520MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: … ₾139 |
|
 |
512GB (фактически 476.84Гб); SSM; M.2 2280; M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4); чтение: 3100MB/s; запись: 1500MB/s SLC-Cached; IOPS 4K: 100k … ₾139 |
|